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高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片

節(jié)能設(shè)計(jì)：采用自適應(yīng)負(fù)載調(diào)節(jié)技術(shù)，根據(jù)芯片數(shù)量自動(dòng)調(diào)整制冷功率，比傳統(tǒng)設(shè)備節(jié)能 35% 以上。
高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片

  • 產(chǎn)品型號(hào)：TSD-80F-3P
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2025-08-11
  • 訪  問(wèn)  量：122
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生產(chǎn)廠家廣東皓天檢測(cè)儀器有限公司擁有專業(yè)的生產(chǎn)研發(fā)技術(shù)，一站式周到服務(wù)。作為一家專注于試驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)品的大型儀器制造商，皓天設(shè)備致力于為消費(fèi)者提供技術(shù)、品質(zhì)的優(yōu)秀產(chǎn)品。

高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片

制冷系統(tǒng)

采用三級(jí)復(fù)疊式制冷技術(shù)，針對(duì)半導(dǎo)體芯片的微尺度散熱特性優(yōu)化設(shè)計(jì)。高溫級(jí)搭載 R410A 制冷劑壓縮機(jī)（功率 2.2kW），中溫級(jí)使用 R404A，低溫級(jí)采用 R170（乙烷），-100℃時(shí)制冷量仍可達(dá) 5.8kW。蒸發(fā)器采用納米級(jí)銅鎳合金微通道結(jié)構(gòu)，換熱面積達(dá) 1.2㎡，配合超導(dǎo)均溫板實(shí)現(xiàn)芯片表面溫度均勻性≤±0.3℃。制冷系統(tǒng)配備磁懸浮變頻壓縮機(jī)，運(yùn)行噪音≤50dB，避免振動(dòng)對(duì)芯片鍵合線的影響，滿足 7nm 以下制程芯片的測(cè)試要求。

高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片

高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片

加濕系統(tǒng)

采用惰性氣體載濕技術(shù)，通過(guò)純度 99.999% 的氮?dú)鈹y帶超純水蒸汽進(jìn)入測(cè)試區(qū)，濕度控制范圍 10%-60% RH（5℃-50℃），精度 ±1.5% RH。加濕模塊與測(cè)試區(qū)采用石英玻璃管道連接，內(nèi)壁粗糙度≤0.8μm，避免微粒污染。系統(tǒng)內(nèi)置在線 TOC 檢測(cè)儀（檢測(cè)限≤5ppb），確保加濕水質(zhì)符合 SEMI F20 標(biāo)準(zhǔn)，防止離子遷移對(duì)芯片造成電腐蝕。
用途

專為半導(dǎo)體芯片可靠性驗(yàn)證設(shè)計(jì)，可模擬芯片在航天、汽車等環(huán)境下的工作狀態(tài)。用于測(cè)試 CPU 在 - 80℃至 150℃沖擊下的邏輯門延遲變化，驗(yàn)證存儲(chǔ)芯片在溫度驟變中的數(shù)據(jù)保持能力，評(píng)估功率半導(dǎo)體在冷熱循環(huán)后的漏電流特性，滿足 AEC-Q100、JEDEC JESD22-A104 等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。


高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片


技術(shù)參數(shù)

溫度范圍：-100℃~180℃，沖擊速率 5℃/s（芯片表面）

濕度控制：10%-60% RH（無(wú)結(jié)露風(fēng)險(xiǎn)）

工作室尺寸：300mm×250mm×200mm，可容納 8 英寸晶圓或 200 顆 QFP 封裝芯片

溫度均勻性：≤±0.5℃（負(fù)載 1kg 硅片時(shí)）

循環(huán)次數(shù)：0~99999 次，支持晶圓級(jí)自動(dòng)上下料對(duì)接

潔凈度：Class 5（ISO 14644-1），粒子濃度≤352 particles/m3（≥0.5μm）

高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片



產(chǎn)品特點(diǎn)

配備晶圓級(jí)真空吸附樣品臺(tái)，溫度響應(yīng)時(shí)間≤2s，可同步監(jiān)測(cè)芯片結(jié)溫與環(huán)境溫度。采用 316L 不銹鋼內(nèi)壁與氟橡膠密封，滿足 SUS304 等效耐腐蝕要求。集成半導(dǎo)體測(cè)試接口（SMIC、TSMC 標(biāo)準(zhǔn)），可與探針臺(tái)聯(lián)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電性能實(shí)時(shí)測(cè)試，支持 GPIB、USB、Ethernet 數(shù)據(jù)傳輸。
產(chǎn)品性能

在 - 100℃~180℃范圍內(nèi)，溫度沖擊響應(yīng)時(shí)間≤10s，連續(xù) 1000 次循環(huán)后溫度偏差增量≤0.2℃。濕度控制在 30% RH 時(shí)，波動(dòng)度≤±1% RH，無(wú)冷凝水生成。設(shè)備振動(dòng)加速度≤0.001g，避免芯片焊球脫落，滿足 MIL-STD-883H 的微振動(dòng)要求。

高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱半導(dǎo)體芯片






產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

微環(huán)境精準(zhǔn)控制：通過(guò)微流場(chǎng)模擬技術(shù)，實(shí)現(xiàn)芯片表面溫度梯度≤0.1℃/mm，解決傳統(tǒng)設(shè)備的溫度滯后問(wèn)題。

超低污染風(fēng)險(xiǎn)：全流程采用惰性氣體保護(hù)與超凈處理，符合半導(dǎo)體行業(yè) SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn)，適用于車規(guī)級(jí)芯片測(cè)試。

電性能同步測(cè)試：支持在溫度沖擊過(guò)程中實(shí)時(shí)采集芯片 IV 曲線、時(shí)序參數(shù)，測(cè)試效率提升 40%。





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